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碳化硅陶瓷几种制备方法

  发表时间:2014年12月31日  点击数:241 次

  由于碳化硅陶瓷的各种优良性能,因此人们非常认可碳化硅陶瓷,所以对碳化硅陶瓷的开发和研制也是非常多的,下面讲几种制备碳化硅陶瓷的方法。

  (1)热压碳化硅陶瓷 虽然在2000度以?#31995;?#28201;度和350MPa以?#31995;?#21387;力可以使纯SIC热压致密,但是通常还是采用加入添加剂的方法。热压添加剂有两类:一类与碳化硅中的杂质形成液相,通过液相促进烧结;一类是与SiC形成固溶体降低晶界能促进烧结。

  (2)常压碳化硅陶瓷 常压烧结碳化硅也命名为无压烧结碳化硅,在烧结到2100度以?#31995;?#28201;?#35748;攏?#29983;成高纯度、高致密的碳化硅陶瓷。

  (3)反应碳化硅陶瓷 反应烧结碳化硅又称为自结合SIC。将碳化硅粉和石墨粉按一定的比例混合压成坯体块,加热到1650度左右,通过气相与C反应生成。

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